البحث عن الكتب
الكتب
التبرع والدعم
تسجيل الدخول
تسجيل الدخول
المستخدمين المصرح لهم متاح لهم التالي:
توصيات شخصية
روبوت Telegram
تاريخ التنزيلات
إرسال إلي Email أو Kindle
إدارة المجموعات المختارة
حفظ في المفضلة
شخصي
طلبات الكتب
تعلم
Z-Recommend
قوائم الكتب المختارة
الأكثر شهرة
الفئات
مشاركة
التبرع والدعم
التحميلات
Litera Library
التبرع بالكتب الورقية
أضف كتبًا ورقية
Search paper books
LITERA Point الخاص بي
البحث عن الكلمات الرئيسية
Main
البحث عن الكلمات الرئيسية
search
1
High Voltage Devices and Circuits in Standard CMOS Technologies
Springer
Hussein Ballan
,
Michel Declercq
voltage
figure
devices
drain
current
transistor
gate
output
layer
shown
junction
standard
substrate
breakdown
device
circuits
cmos
oxide
depletion
doped
function
vds
supply
hvnmos
surface
equation
amplifier
hvpmos
resulting
transistors
maximum
signal
circuit
doping
capacitance
resistance
discussed
input
1.0e
static
parameters
values
diffusion
shifter
saturation
linear
carrier
mosfet
total
effects
عام:
2010
اللغة:
english
ملف:
PDF, 25.33 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
english, 2010
2
High Voltage Devices and Circuits in Standard CMOS Technologies
Springer US
Hussein Ballan
,
Michel Declercq (auth.)
voltage
figure
devices
drain
current
transistor
gate
output
layer
shown
junction
standard
substrate
breakdown
circuits
device
cmos
oxide
depletion
doped
function
vds
supply
hvnmos
surface
equation
amplifier
hvpmos
resulting
transistors
maximum
signal
circuit
doping
capacitance
resistance
discussed
input
1.0e
static
parameters
values
diffusion
shifter
saturation
technologies
linear
carrier
total
effects
عام:
1999
اللغة:
english
ملف:
PDF, 16.85 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
english, 1999
3
High Voltage Devices and Circuits in Standard CMOS Technologies
Springer US
Hussein Ballan
,
Michel Declercq
voltage
figure
devices
drain
current
transistor
gate
output
layer
shown
junction
standard
substrate
breakdown
device
circuits
cmos
oxide
depletion
doped
function
vds
supply
hvnmos
surface
equation
amplifier
hvpmos
resulting
transistors
maximum
signal
circuit
doping
capacitance
resistance
discussed
input
1.0e
static
parameters
values
diffusion
shifter
saturation
linear
carrier
total
effects
mosfet
عام:
1999
اللغة:
english
ملف:
PDF, 25.33 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
english, 1999
1
ادخل علي
هذا الرابط
أو إبحث عن البوت "@BotFather" في Telegram
2
أرسل الأمر /newbot
3
أدخل إسمًا للبوت الخاص بك
4
أدخل إسم المستخدم للبوت
5
انسخ الرسالة الأخيرة من BotFather والصقها هنا
×
×